招き猫とメイドさんスロット

-->日本語English教員活動データベース-->全体研究者氏名著者名検索 -->詳細氏　名齊藤　勝彦フリガナサイトウ カツヒコ欧文氏名Katsuhiko Saito所　属シンクロトロン光応用研究センター職　名助教学位修士（理学）（1998年03月）博士（工学）（2003年09月）電子メールリンクティーチングポートフォリオホームページhttp://www.slc.saga-u.ac.jp/教員詳細情報研究分野・キーワード学歴職歴専門分野所属学会現在実施している研究テーマ主要研究業績著書原著論文一般講演（学術講演を含む）知的財産権の出願等（著作権は除く）招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）Last Updated :2024/04/30教員詳細情報研究分野・キーワードシンクロトロン光、化合物半導体、エピタキシャル成長学歴1996年03月, 弘前大学, 理学部, 物理学科, 卒業1998年03月, 弘前大学, 理学研究科, 物理学専攻, 修士課程・博士前期課程, 修了2003年09月, 東北大学, 工学研究科, 応用物理学専攻, 博士課程・博士後期課程, 修了職歴2003年04月 - 2005年03月 佐賀大学 講師(中核的研究機関研究員)2005年04月 - 2006年07月 佐賀大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 講師(中核的研究機関研究員)2006年08月 - 2007年03月 株式会社ＳＡＧＡ先端技術研究所 研究技術職2007年04月 - 2008年06月 佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター 博士研究員2008年07月 - 2008年08月 佐賀大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 講師(中核的研究機関研究員)2009年04月 - 継続中 佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター 助教専門分野応用物性, 結晶工学, 薄膜・表面界面物性, 電子・電気材料工学所属学会日本放射光学会, 応用物理学会現在実施している研究テーマ化合物半導体のエピタキシャル成長および物性評価主要業績MOVPE 法を用いたSiO2/Si上グラフェンへのZnTe 薄膜形成 2023年11月MOVPE成長したAlドープZnTe薄膜におけるポストアニール処理の効果 2023年09月MOVPE成長Alドープ ZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響 (２) 2022年11月MOVPE成長AlドープZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響 2021年12月GGG基板上ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価 2021年09月P and Al co-doped ZnTe Epilayers Grown by MOVPE 2019年10月Al，P共添加ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価 2019年09月減圧MOVPE 法による(100)GaAs 基板上へのZnMgSeTe 薄膜成長 2018年12月MOVPE growth of ZnMgSeTe alloys on (100) GaAa substrates 2018年06月Growth of ZnMgSeTe nearly lattice-matched to ZnTe and p-type doping by low-pressure MOVPE 2017年Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE 2017年減圧有機金属気相成長法によるZn1-xMgxSeyTe1-y のドーピング特性 2016年12月有機金属気相法による4 元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の諸特性の成長室内圧力効果 2016年12月有機金属化学気相法により作製された燐ド－プZn1-xMgxSeyTe1-y膜のアニ－ル処理効果 2016年09月減圧有機金属化学気相法による燐ド－プZn1-xMgxSeyTe1-y膜の作製と評価 2016年09月減圧有機金属気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の組成制御と結晶評価 2016年09月THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al2O3基板上へのZnTe単結晶の成長 2016年09月減圧有機金属気相成長法により作製されたAs-grownとアニ－ル処理後の燐ド－プZnTe膜の電気的光学的性質 2016年09月Growth of ZnMgSeTe nearly Lattice-matched to ZnTe and p-type Doping by Low-pressure MOVPE 2016年08月Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE 2016年08月Influence of source transport rate upon fractions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2016年Low Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers 2016年有機金属気相成長法により作製されたPド－プZnTeエピ膜の電気的性質の温度依存性 2015年12月有機金属化学気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の成長と評価 2015年12月Influence of Source Transport Rate upon Compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2015年09月Low Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers 2015年09月減圧有機金属気相成長法によるZnSexTe1-xの作製と評価 2015年09月減圧MOVPE法により作製されたZn1-xMgxTe膜の特性に及ぼす原料供給量の効果 2015年09月MOVPE法による燐ドープZnTe膜の特性に及ぼす成長室圧力の影響 2015年09月Compositions of Mg and Se, surface morphology, roughness and Raman property of Zn1-xMgxSeyTe1-y layers grown at various substrate temperatures or dopant transport rates by MOVPE 2015年The effect of substrate temperature upon the compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y layer grown by MOVPE 2014年 Correlation Between Photoluminescence and Carrier Concentration in Phosphorus-doped ZnTe 2013年09月 Growth and Characterization of Zn1-xMgxSeyTe1-y on ZnTe Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2013年09月 シンクロトロン放射光電子分光法によるZnTe/GaAsへテロ界面のバンドアライメント評価 2013年07月第2編 第7章 第6節 ZnTe基板とLEDへの応用 2013年Al電極の透明化により作製されたZnTe緑色LEDの特性 2012年12月MOVPE法により成長されたPドープZn1-xMgxTeエピ膜の電気的性質及びフォトルミネッセンス特性に及ぼすアニール処理効果 2012年12月有機金属気相エピタキシャル法で成長されたZnTe膜の燐ドーピングに及ぼす原料供給量の影響 2012年12月MOVPE法で作製されたZnTe薄膜の表面形態とフォトルミネッセンス特性 2012年12月Enhanced Efficiency of ZnTe-Based Green Light-Emitting Diodes 2012年09月Synchrotron-Radiation-Excited UV-VIS Luminescence Experimental Station at Saga University beamline BL13: Design and Installation Progress 2012年08月Influence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-doped ZnMgTe Layers by MOVPE 2012年05月Surface Morphologies and Photoluminescence Properties of Undoped and P-doped ZnTe Layers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy 2012年05月Effects of Annealing Treatment upon Electrical and Photoluminescence Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Epilayers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy 2012年05月Characterization of ZnTe Epilayers on GaAs (111) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2012年05月Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE 2012年Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE 2012年ＰドープZnMgTeエピ膜の成長特性に及ぼすDETe供給量依存性 2011年09月ＰドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすTDMAP供給量効果 2011年09月Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE 2011年08月Influence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE 2011年08月Estimation of donor and acceptor levels in Al-doped ZnTe layers from photoluminescence measurement 2011年Temperature dependence of photoluminescence from P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method 2010年Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers 2009年01月Improvement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment 2008年Growth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy 2008年半導体装置及びその製造方法 2007年09月Growth characteristics of ZnMgTe layer on ZnTe substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 2007年Post-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE 2007年半導体の製造方法 2006年08月Phosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Vertical Bridgman Method 2006年Growth of boron-doped ZnTe homoepitaxial layer by metalorganic vapor phase epitaxy 2006年Optical and Electrical Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method 2006年Magnetic rotation spectra of Co/Pt and Co/Cu multilayers in 50-90 eV region 2005年Faraday and Magnetic Kerr Rotation Measurements on Co and Ni Films Around M2,3 Edges 2002年Multilayer Polarizers for the Use of He-I and He-II Resonance Lines 2002年Faraday Rotation Measurement around Ni M2,3 Edges Using Al/YB6 Multilayer Polarizers 1999年著書第2編 第7章 第6節 ZnTe基板とLEDへの応用;　2013年発表情報;　2013化合物半導体技術大全, 株式会社電子ジャーナル (2013).著者;　田中徹，斉藤勝彦, 西尾光弘，郭其新Enhanced Efficiency of ZnTe-Based Green Light-Emitting Diodes;　2012年09月発表情報;　Light-Emitting Diodes and Optoelectronics: New Research, Nova Science Publishers, Inc. New York (2012). ISBN: 978-1-62100-448-6.著者;　T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, and M. Nishio原著論文Low-temperature photoluminescence characteristic of Tm-doped Ga2O3 films for light emitting diodes application;　2024年04月発表情報;　Optical Materials, 150, 115142著者;　Z. Chen, G. Deng, K. Saito, T. Tanaka and Q. GuoTemperature-dependent photoluminescence of r-GeO2 film deposited on r-plane sapphire by synchrotron radiation excitation;　2024年03月発表情報;　Journal of Luminescence, 267, 120353著者;　G. Deng, Y. Huang, Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Arita, and Q. GuoCharacteristics of Light-Emitting Diodes Based on Terbium-Doped Ga2O3 Films;　2024年01月発表情報;　Physica Status Solidi - Rapid Research Letters著者;　Q. Guo, Y. Koga, Z. Chen, K. Saito and T. TanakaImproved phosphorus doping in ZnTe by molecular beam epitaxy under alternating source supply;　2023年11月発表情報;　Journal of Applied Physics, 134, 19, 193101著者;　M. Mustofa, K. Saito, Q. Guo and T. TanakaGrowth and characteristics of terbium doped Ga2O3 luminescent films;　2023年10月発表情報;　Journal of Crystal Growth, 620, 127361著者;　Q. Guo, Y. Koga, Z. Chen, K. Saito, T. TanakaEnhancement of photoluminescence from Tm-doped (AlxGa1−x)2O3 films by pulsed laser deposition;　2023年09月発表情報;　Ceramics International, 49, 28702-28710著者;　Z. Chen, M. Arita, G. Deng, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoLow temperature growth of MgGa2O4 films for deep ultraviolet photodetectors;　2023年09月発表情報;　Optical Materials, 143, 114267著者;　Q. Guo, J. Tetsuka, Z. Chen, M. Arita, K. Saito, T. TanakaColor-Tunable Light-Emitting Diodes Based on Rare Earth Doped Gallium Oxide Films;　2023年08月発表情報;　ACS Applied Electronic Materials, 5, 8, 4002 - 4013著者;　Q. Guo, K. Saito, T. TanakaGrowth of phosphorus-doped ZnTe thin films by molecular beam epitaxy using InP as the dopant source;　2023年08月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 62, SK, SK1031著者;　M. Mustofa, S. Mishima, K. Saito, Q. Guo, T. TanakaTemperature dependence of luminescence characteristics from Eu doped Ga2O3thin films excited by synchrotron radiation source;　2023年06月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 62, 6, 061004著者;　Y. Huang, G. Deng, Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoEffect of heterojunction structures on photoelectrochemical properties of ZnTe-based photocathodes for water reduction;　2023年01月発表情報;　RSC Advances, 13, 1, 575-580著者;　T. Tanaka, R. Tsutsumi, T. Yoshinaga, T. Sonoyama, K. Saito, Q. Guo, S. IkedaNear infrared-II light-emitting devices based on Er-doped Ga2O3 films;　2022年10月発表情報;　Optical Materials, 132, 112786著者;　Z. Chen, G. Deng, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoHeteroepitaxy of (100)-oriented rutile GeO2 film on c-plane sapphire by pulsed laser deposition;　2022年09月発表情報;　Materials Letters, 326, 132945著者;　G. Deng, Y. Huang, Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Arita, Q. GuoLow-temperature growth of In2O3 films on a-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition;　2022年08月発表情報;　Thin Solid Films, 756, 139383著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoCurrent-controlled electroluminescence from light-emitting diodes based on Tm, Er, and Eu codoped Ga2O3 thin films;　2022年08月発表情報;　Applied Physics Express, 15, 8, 81005著者;　Y. Huang, G. Deng, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoStrong enhancement of red photoluminescence from Eu doped Ga2O3 films by thermal annealing;　2022年06月発表情報;　Journal of Luminescence, 246, 118858著者;　Y. Huang, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoNear-infrared light-emitting diodes based on Tm-doped Ga2O3;　2022年05月発表情報;　Journal of Luminescence, 245, 118773著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoEffects of Al doping on the structural, electrical, and optical properties of rock-salt ZnCdO thin films grown by molecular beam epitaxy;　2022年04月発表情報;　Journal of Physics and Chemistry of Solids, 163, 110571著者;　H. Jang, K. Saito, Q. Guo, K.M. Yu, T. TanakaImproved two-step photon absorption current by Cl-doping in ZnTeO-based intermediate band solar cells with n-ZnS layer;　2022年01月発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 235, 111456著者;　T. Tanaka, S. Tsutsumi, K. Saito, Q. Guo, K.M. YuPulsed laser deposition growth of ultra-wide bandgap GeO2 film and its optical properties;　2021年11月発表情報;　Applied Physics Letters, 119, 18, 182101著者;　G. Deng, K. Saito, T. Tanaka, M. Arita, Q. GuoCreating terahertz pulses from titanium-doped lithium niobate-based strip waveguides with 1.55 μm light;　2021年09月発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32, 18, pp.23164 - 23173著者;　J.E. Muldera, J.P.C. Afalla , T. Furuya, H. Kitahara, E.S. Estacio, K. Saito, Q. Guo, M. TaniStrategy toward white LEDs based on vertically integrated rare earth doped Ga2O3 films;　2021年08月発表情報;　Applied Physics Letters, 119, 6, 062107著者;　Y. Huang, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoLow threshold voltage blue light emitting diodes based on thulium doped gallium oxides;　2021年08月発表情報;　Applied Physics Express, 14, 8, 081002著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoYellow emission from vertically integrated Ga2O3 doped with Er and Eu electroluminescent film;　2021年07月発表情報;　Journal of Luminescence, 235, 118051著者;　Deng, G., Huang, Y., Chen, Z., Pan, C., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Structural, optical, and electrical properties of WZ- and RS-ZnCdO thin films on MgO (100) substrate by molecular beam epitaxy;　2021年06月発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 867, 159033著者;　Jang, H., Saito, K., Guo, Q., Yu, K.M., Walukiewicz, W., Tanaka, T.Low driven voltage green electroluminescent device based on Er:Ga2O3/GaAs heterojunction;　2021年06月発表情報;　Optical Materials, 116, 111078著者;　Deng, G., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Effect of Nitrogen Doping on Structural, Electrical, and Optical Properties of CuO Thin Films Synthesized by Radio Frequency Magnetron Sputtering for Photovoltaic Application;　2021年06月発表情報;　ECS Journal of Solid State Science and Technology, 10, 6, 065019著者;　M.A.M. Patwary, M. Ohishi, K. Saito, Q. Guo, K.M. Yu , T. TanakaLow temperature growth of In2O3 films via pulsed laser deposition with oxygen plasma;　2021年05月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 60, 5, 055505著者;　Pan C.,Saito K.,Tanaka T.,Guo Q.Improvement of sensing sensitivity based on green emissions from Er-doped (AlGa)2O3 films;　2021年04月発表情報;　Journal of Luminescence, 232, 117879著者;　Deng, G., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Epitaxial growth of (AlxGa1-x)2O3 thin films on sapphire substrates by plasma assisted pulsed laser deposition;　2021年03月発表情報;　AIP Advances, 11, 3, 035319著者;　Chen, Z., Arita, M., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Realization of red electroluminescence from Ga2O3:Eu/Si based light-emitting diodes;　2021年02月発表情報;　Superlattices and Microstructures, 150, 106814著者;　Huang, Y., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Impacts of oxygen radical ambient on structural and optical properties of (AlGa)2O3 films deposited by pulsed laser deposition;　2020年06月発表情報;　AIP Advances, 10, 6, 065125著者;　F. Zhang, C. Hu, M. Arita, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoEnhanced green emission from Er-doped (AlGa)2O3 films grown by pulsed laser deposition;　2020年05月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 59, 5, 051007著者;　G. Deng, F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Arita, Q. GuoRealization of rocksalt Zn1-xCdxO thin films with an optical band gap above 3.0 eV by molecular beam epitaxy;　2020年03月発表情報;　CrystEngComm, 22, 2781-2787著者;　H.C. Jang, K. Saito, Q. Guo, K.M. Yu, W. Walukiewicz, T. TanakaEffect of oxygen flow rate on properties of Cu4O3 thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering;　2020年02月発表情報;　Journal of Applied Physics, 127, 8, 85302著者;　Patwary, M.A.M., Ho, C.Y., Saito, K., Guo, Q., Yu, K.M., Walukiewicz, W., Tanaka, T.Conductive transparent (InGa)2O3 film as host for rare earth Eu;　2020年02月発表情報;　AIP Advances, 10, 2, 25024著者;　Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Wang, X., Guo, Q.Nitrogen Doping Effect in Cu4O3 Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering;　2020年02月発表情報;　Physica Status Solidi (B) Basic Research, 257, 2, 1900363著者;　M.A.M. Patwary, K. Saito, Q. Guo, T. Tanaka, K. Man Yu, W. WalukiewiczLow temperature growth of (AlGa)2O3 films by oxygen radical assisted pulsed laser deposition;　2020年01月発表情報;　CrystEngComm, 22, 1, 142-146著者;　Zhang, F., Hu, C., Arita, M., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Growth of low resistive Al-doped ZnCdO thin films with rocksalt structure for transparent conductive oxide thin films;　2020年00月発表情報;　Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2020-June, 9300563, pp.191-193著者;　Jang, H., Saito, K., Guo, Q., Tanaka, T., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Efficient temperature sensor based on green emissions from Er-doped β-Ga2O3 thin film;　2020年00月発表情報;　AIP Advances, 10, 10, 105227著者;　Deng, G., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Nitrogen Doping Effect in Cu4O3 Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering;　2019年09月発表情報;　Physica Status Solidi (B) Basic Research, 257, 2, 1900363著者;　Patwary, M.A.M., Saito, K., Guo, Q., Tanaka, T., Man Yu, K., Walukiewicz, W.Low temperature growth of Ga2O3 films on sapphire substrates by plasma assisted pulsed laser deposition;　2019年08月発表情報;　AIP Advances, 9, 8, 85022著者;　Hu, C., Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Cl-doping effect in ZnTe1-xOx highly mismatched alloys for intermediate band solar cells;　2019年06月発表情報;　Journal of Applied Physics, 125, 24, 243109著者;　Tanaka, T., Matsuo, K., Saito, K., Guo, Q., Tayagaki, T., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Oxygen Concentration Dependence of Photovoltaic Properties of Intermediate Band Solar Cells based on Cl-doped ZnTeO;　2019年06月発表情報;　Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 8981313, 1793-1796著者;　Tanaka, T., Izumi, T., Matsuo, K., Saito, K., Guo, Q., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Three-dimensional band structure and surface electron accumulation of rs-CdxZn1−xO studied by angle-resolved photoemission spectroscopy;　2019年05月発表情報;　Scientific Reports, 9, 1, 8026著者;　Takahashi, K., Imamura, M., Chang, J.H., Tanaka, T., Saito, K., Guo, Q., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Influence of oxygen flow rate and substrate positions on properties of Cu-oxide thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering using pure Cu target;　2019年04月発表情報;　Thin Solid Films, 675, 59-65著者;　Patwary, M.A.M., Saito, K., Guo, Q., Tanaka, T.Crystal and electronic structural changes during annealing in severely deformed Si containing metastable phases formed by high-pressure torsion;　2018年09月発表情報;　Applied Physics Letters, 113, 10, 101904著者;　Ikoma, Y., Chon, B., Yamasaki, T., Takahashi, K., Saito, K., Guo, Q., Horita, Z.Improved photovoltaic properties of ZnTeO-based intermediate band solar cells;　2018年04月発表情報;　Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 10527, 105270P著者;　Tanaka, T., Saito, K., Guo, Q., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Local Bi-O bonds correlated with infrared emission properties in triply doped Gd2.95Yb0.02Bi0.02Er0.01Ga5O12via temperature-dependent Raman spectra and x-ray absorption fine structure analysis;　2018年02月発表情報;　Journal of Physics Condensed Matter, 30, 12, 125901著者;　Tong, L., Saito, K., Guo, Q., Zhou, H., Guo, X., Fan, T., Zhang, D.Photoluminescence of ZnTe/ZnMgTe multiple quantum well structures grown on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy;　2018年02月発表情報;　Superlattices and Microstructures, 114, 192-199著者;　Tanaka, T., Ohshita, H., Saito, K., Guo, Q.Ultraviolet emission from MgZnO films and ZnO/MgZnO single quantum wells grown by pulsed laser deposition;　2018年02月発表情報;　Journal of Crystal Growth, 483, 39-43著者;　Wang, X., Chen, Z., Hu, C., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.The impact of dopant contents on structures, morphologies and optical properties of Eu doped Ga2O3films on GaAs substrate;　2018年02月発表情報;　Journal of Luminescence, 194, 374-378著者;　Chen, Z., Nishihagi, K., Wang, X., Hu, C., Arita, M., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.Regulation mechanism of bottleneck size on Li+ migration activation energy in garnet-type Li7La3Zr2O12;　2018年01月発表情報;　著者;　Yanhua Zhang, Fei Chen, Junyang Li, Lianmeng Zhang, Jiajun Gu, Di Zhang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Ping Luo, Shijie DongDefect induced visible-light-activated near-infrared emissions in Gd3-x-Y-zYbxBiyErzGa5O12;　2017年11月発表情報;　Journal of Applied Physics, 122, 17, 173103著者;　Tong, L., Saito, K., Guo, Q., Zhou, H., Fan, T., Zhang, D.Characteristics of thulium doped gallium oxide films grown by pulsed laser deposition;　2017年10月発表情報;　Thin Solid Films, 639, 123-126著者;　Guo, Q., Nishihagi, K., Chen, Z., Saito, K., Tanaka, T.Temperature-dependent raman scattering in cubic (InGa)2O3 thin films;　2017年01月発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 690, 287-292著者;　Xu Wang, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin GuoPhase transformation of germanium by processing through high-pressure torsion: strain and temperature effects;　2017年01月発表情報;　Philosophical Magazine Letters, 97, 1, 27-34著者;　Yoshifumi Ikoma, Kazuki Kumano, Kaveh Edalati, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Zenji HoritaStructural properties of Eu doped gallium oxide films;　2017年発表情報;　Materials Research Bulletin, 94, 170-173著者;　K. Nishihagi, Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoGrowth and characterization of Zn1-xCdxTe1-yOy highly mismatched alloys for intermediate band solar cells;　2017年発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 169, 1-7著者;　T. Tanaka, T. Terasawa, Y. Okano, S. Tsutsumi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. WalukiewiczGrowth of ZnMgSeTe nearly lattice-matched to ZnTe and p-type doping by low-pressure MOVPE;　2017年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 468, 671-675著者;　Saito, K., Nishio, M., Nakatsuru, Y., Shono, T., Matsuo, Y., Tomota, A., Tanaka, T., Guo, Q.X.Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE;　2017年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 468, 666-670著者;　Nishio, M., Saito, K., Nakatsuru, Y., Shono, T., Matsuo, Y., Tomota, A., Tanaka, T., Guo, Q.X.Improved Open-Circuit Voltage and Photovoltaic Properties of ZnTeO-Based Intermediate Band Solar Cells With n-Type ZnS Layers;　2017年発表情報;　IEEE Journal of Photovoltaics, 7, 4, 7935367, 1024-1030著者;　Tanaka, T., Yu, K.M., Okano, Y., Tsutsumi, S., Haraguchi, S., Saito, K., Guo, Q., Nishio, M., Walukiewicz, W.Efficient pure green emission from Er-doped Ga2O3 films;　2017年発表情報;　CrystEngComm, 19, 31, 4448-4458著者;　Chen, Z., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性評価;　2016年09月発表情報;　電気学会論文誌C, 136, 12, 1761-1766著者;　秋山　肇, 内海　淳, 田中　徹, 齊藤　勝彦, 西尾　光弘, 郭　其新Toward controlling the carrier density of Si doped Ga2O3 films by pulsed laser deposition;　2016年09月発表情報;　Applied Physics Letters, 109, 10, 102105著者;　Fabi Zhang , Makoto Arita , Xu Wang , Zhengwei Chen , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Teruaki Motooka , Qixin GuoBand alignment of Ga2O3/Si heterojunction interface measured by X-ray photoelectron spectroscopy;　2016年09月発表情報;　Applied Physics Letters, 109, 10, 102106著者;　Zhengwei Chen, Kazuo Nishihagi , Xu Wang , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Makoto Arita , Qixin GuoObservation of low voltage driven green emission from erbium doped Ga2O3 light-emitting devices;　2016年08月発表情報;　Applied Physics Letters, 109, 2, 022107著者;　Zhengwei Chen, Xu Wang , Fabi Zhang , Shinji Noda , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Makoto Arita , Qixin GuoHighly transparent conductive Ga doped ZnO films in the near-infrared wavelength range;　2016年07月発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronic, 27, 9, 9291-9296著者;　Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin GuoInfluence of substrate temperature on the properties of (AlGa)2O3 thin films prepared by pulsed laser deposition;　2016年06月発表情報;　Ceramics International, 42, 11, 12783-12788著者;　Xu Wang, Zhengwei Chen, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin GuoTemperature dependence of luminescence spectra in europium doped Ga2O3 film;　2016年04月発表情報;　Journal of Luminescence, 177, 48-53著者;　Zhengwei Chen, Xu Wang, Fabi Zhang, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin GuoEffects of dopant contents on structural, morphological and optical properties of Er doped Ga2O3 films;　2016年02月発表情報;　Superlattices and Microstructures, 90, 207-214著者;　Z. Chen, X. Wang, S. Noda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. GuoInfluence of source transport rate upon fractions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2016年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 13, 443-447著者;　K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q. Guo, and M. NishioLow Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers;　2016年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 13, 439-442著者;　M. Nishio, K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, and Q. GuoThe impact of growth temperature on the structural and optical properties of catalyst-Free β-Ga2O3 nanostructures;　2016年発表情報;　Materials Research Express, 3, 2, 25003著者;　Chen, Z., Wang, X., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.Effects of dopant contents on structural, morphological and optical properties of Er doped Ga2O3 films;　2016年発表情報;　Superlattices and Microstructures, 90, 207-214著者;　Chen, Z., Wang, X., Noda, S., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Arita, M., Guo, Q.Compositional dependence of optical transition energies in highly mismatched Zn1-xCdxTe1-yOy alloys;　2016年発表情報;　Applied Physics Express, 9, 2, 21202著者;　Tanaka, T., Mizoguchi, K., Terasawa, T., Okano, Y., Saito, K., Guo, Q., Nishio, M., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Temperature dependence of Raman scattering in β -(AlGa)2O3 thin films;　2016年発表情報;　AIP Advances, 6, 1, 15111著者;　Wang, X., Chen, Z., Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.Cl-doping in highly mismatched ZnTe1-xOx alloys for intermediate band solar cells;　2016年発表情報;　Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2016-November, 2830-2832著者;　Tanaka, T., Tsutsumi, S., Okano, Y., Saito, K., Guo, Q., Nishio, M., Yu, K.M., Walukiewicz, W.Compositions of Mg and Se, surface morphology, roughness and Raman property of Zn1-xMgxSeyTe1-y layers grown at various substrate temperatures or dopant transport rates by MOVPE;　2015年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 414, 114-118著者;　M. Nishio, K. Saito, K. Urata, Y. Okamoto, D. Tanaka, Y. Araki, M. Abiru, E. Mori, T. Tanaka, Q. GuoLower temperature growth of single phase MgZnO films in all Mg content range;　2015年発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 627, 383-387著者;　X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. GuoElectrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition;　2015年発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 26, 12, 9624-9629著者;　Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.Low temperature growth of europium doped Ga2O3 luminescent films;　2015年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 430, 28-33著者;　Chen, Z., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Arita, M., Guo, Q.Allotropic phase transformation and photoluminescence of germanium nanograins processed by high-pressure torsion;　2015年発表情報;　Journal of Materials Science, 51, 1, 138-143著者;　Ikoma, Y., Toyota, T., Ejiri, Y., Saito, K., Guo, Q., Horita, Z.Energy band bowing parameter in MgZnO alloys;　2015年発表情報;　Applied Physics Letters, 107, 2, 22111著者;　Wang, X., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Nagaoka, T., Arita, M., Guo, Q.Toward the understanding of annealing effects on (GaIn)2O3 films;　2015年発表情報;　Thin Solid Films, 578, 1-6著者;　Zhang, F., Jan, H., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Nagaoka, T., Arita, M., Guo, Q.Structural and optical properties of Ga2O3 films on sapphire substrates by pulsed laser deposition;　2014年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 387, 96-100著者;　F.B. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. GuoGrowth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering;　2014年発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 587, 217-221著者;　Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, W. Shi, F. Liu, K. Saito, T. Tanaka, M. NishioPhotogenerated Current By Two-Step Photon Excitation in ZnTeO Intermediate Band Solar Cells with n-ZnO Window Layer;　2014年発表情報;　IEEE Journal of Photovoltaics, 4, 1, 196-201著者;　T. Tanaka, M. Miyabara, Y. Nagao, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. WalukiewiczFabrication of ZnO/ZnTe heterojunction by using a Room Temperature Direct Bonding technology;　2014年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 11, 1218-1220著者;　H. Akiyama, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. GuoThe effect of substrate temperature upon the compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y layer grown by MOVPE;　2014年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 11, 1202-1205著者;　M. Nishio, K. Saito, R. Ito, K. Tanaka, K. Urata, Y. Nakamura, T. Tanaka, Q.X. GuoWide bandgap engineering of (GaIn)2O3 films;　2014年発表情報;　Solid State Communications, 186, 28-31著者;　Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin GuoFabrication of Nanograined Silicon by High-Pressure Torsion;　2014年発表情報;　Journal of Materials Science, 49, 19, 6565-6569著者;　Y. Ikoma, K. Hayano, K. Edalati, K. Saito, Q. Guo, Z. Horita, T. Aoki, D.J. SmithElectrical properties and emission mechanisms of Zn-doped β-Ga 2O3 films;　2014年発表情報;　Journal of Physics and Chemistry of Solids, 75, 11, 1201-1204著者;　X.H. Wang, F.B. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. GuoWide bandgap engineering of (AlGa)2O3 films;　2014年発表情報;　Applied Physics Letters, 105, 16, 162107著者;　F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. GuoThermal Annealing Impact on Crystal Quality of (GaIn)2O3 Alloys;　2014年発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 614, 173-176著者;　F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. GuoSurface morphologies and photoluminescence properties of undoped and P-doped ZnTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2013年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 370, 1, 348-352著者;　M. Nishio, Y. Hayashida, K. Saito, T. Tanaka, Q. GuoEffects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2013年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 370, 1, 342-347著者;　M. Nishio, K. Kai, R. Fujiki, K. Saito, T. Tanaka, and Q. GuoPhotocurrent induced by two-photon excitation in ZnTeO intermediate band solar cells;　2013年発表情報;　Applied Physics Letters, 102, 5, 052111著者;　T. Tanaka, M. Miyabara, Y. Nagao, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. WalukiewiczEffects of oxygen gas pressure on properties of iron oxide films grown by pulsed laser deposition;　2013年発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 552, 1-5著者;　Q. Guo, W. Shi, F. Liu, M. Arita, Y. Ikoma, K. Saito, T. Tanaka,and M. NishioBand alignment of ZnTe/GaAs heterointerface investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy;　2013年発表情報;　Applied Physics Letters, 102, 9, 092107著者;　Q. Guo, K. Takahashi, K. Saito, H. Akiyama, T. Tanaka, and M. NishioEpitaxial Growth of ZnTe Layers on ZnO Bulk Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 52, 040206著者;　H. Akiyama, H. Hirano, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. GuoDevelopment of ZnTe-Based Solar Cells;　2013年発表情報;　Materials Science Forum, 750, 80-83著者;　T. Tanaka, M. Miyabara, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, and W. Walukiewicz Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells;　2013年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 378, 259-262著者;　T. Tanaka, Y. Nagao, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. WalukiewiczNanograin formation of GaAs by high-pressure torsion;　2013年発表情報;　Philosophical Magazine Letters, in press著者;　Y. Ikoma, Y. Ejiri, K. Hayano, K. Saito, Q. Guo, Z. Horita Development of ZnTe-based solar cells;　2013年発表情報;　Materials Science Forum, 750, 80-83著者;　Tooru Tanaka, Masaki Miyabara, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz Growth of ZnTe layers on (111) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2012年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 341, 1, 7-11著者;　Q. Guo, H. Akiyama, Y. Mikuriya, K. Saito, T. Tanaka, and M. NishioEpitaxial growth of ZnO layers on (111) GaAs substrates by laser molecular beam epitaxy;　2012年発表情報;　Thin Solid Films, 520, 7, 2663-2666著者;　J. Ding, D. Zhang, T. Konomi, K. Saito, and Q. GuoEffects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE;　2012年発表情報;　Applied Surface Science, 258, 6, 2137-2140著者;　K. Saito, Y. Inoue, Y. Hayashida, T. Tanaka, Q. X. Guo, and M. NishioMolecular beam epitaxial growth and optical properties of highly mismatched ZnTe 1-xO x alloys;　2012年発表情報;　Applied Physics Letters, 100, 1, 011905著者;　T. Tanaka, S. Kusaba, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. WalukiewiczExistence and removal of Cu2Se second phase in coevaporated Cu2ZnSnSe4 thin films;　2012年発表情報;　Journal of Applied Physics, 111, 5, 053522著者;　T. Tanaka, T. Sueishi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. WalukiewiczCharacterization of epitaxial ZnTe layers grown on GaAs substrates by transmission electron microscopy and photoluminescence;　2012年発表情報;　Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 30, 2, 021508著者;　F. Zhang, Y. Ikoma, J. Zhang, K. Xu, K. Saito, and Q. GuoInfluence of source transport rate upon phosphorus doping of ZnTe layers grown by MOVPE method;　2012年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 9, 8-9, 1732-1735著者;　M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, and Q. X.GuoInfluence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE;　2012年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 9, 8-9, 1736-1739著者;　K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. NishioPhase transformation and nanograin refinement of silicon by processing through high-pressure torsion;　2012年発表情報;　Applied Physics Letters, 101, 12, 121908著者;　Y. Ikoma, K. Hayano, K. Edalati, K. Saito, Q. Guo, and Z. HoritaImpact of radio frequency powers on GaInN film growth by magnetron reactive sputtering;　2012年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 11, 118004著者;　Q. Guo, W. Shi, F. Liu, T. Nakao, K. Saito, T. Tanaka, and M. NishioGrowth and characterization of Fe3O4 films;　2011年発表情報;　Materials Research Bulletin, 46, 12, 2212-2216著者;　J. Ding, D. Zhang, M. Arita, Y. Ikoma, K. Nakamura, K. Saito, and Q. GuoEffect of VI/II ratio upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnTe films grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2011年発表情報;　Thin Solid Films, 520, 2, 743-746著者;　M. Nishio, K. Kai, K. Saito, T. Tanaka, and Q. GuoElectronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy;　2011年発表情報;　Applied Physics Letters, 98, 18, 181901著者;　Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. OhtaniStructural and optical properties of porous iron oxide;　2011年発表情報;　Solid State Communications, 151, 10, 802-805著者;　J. Ding, T. Fan, D. Zhang, K. Saito, and Q. GuoEffect of gas flow rate on surface morphology and crystal quality of ZnTe epilayers grown on GaAs substrates;　2011年発表情報;　Materials Research Bulletin, 46, 4, 551-554著者;　Q. Guo, M. Nada, Y. Ding, K. Saito, T. Tanaka,and M. NishioEstimation of donor and acceptor levels in Al-doped ZnTe layers from photoluminescence measurement;　2011年発表情報;　Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 7995, 79950I著者;　K. Saito, T. Saeki, X. Han, T. Tanaka, Q. Guo, and M. NishioTemperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method;　2011年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 318, 1, 524-527著者;　M. Nishio, K. Hiwatashi, K. Saito, T. Tanaka, and Q. GuoTemperature dependence of photoluminescence from P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method;　2010年発表情報;　Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 7, 6, 1495-1497著者;　K. Saito, S. Shimao, T. Tanaka, Q. Guo, and M. NishioInfluence of composition ratio on properties of Cu2ZnSnS 4 thin films fabricated by co-evaporation;　2010年発表情報;　Thin Solid Films, 518, 21 SUPPL., S29-S33著者;　T. Tanaka, A. Yoshida, D. Saiki, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, and T. YamaguchiPost-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers;　2009年01月発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 20, Supplement 1, 264-267著者;　K. Saito, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p -ZnTe epitaxial layer on a p -ZnMgTe substrate;　2009年発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 20, Supplement 1, 505-509著者;　T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa Enhanced Light Output from ZnTe Light Emitting Diodes by Utilizing Thin Film Structure;　2009年発表情報;　Applied Physics Express, 2, 122101著者;　T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaImprovement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment;　2008年発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 100, 042019著者;　K. Saito, K. Fujimoto, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. Guo, and H. OgawaEpitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy;　2008年発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 100, 042018著者;　T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaGrowth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy;　2008年発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 100, 042028著者;　K. Saito, D. Kouno, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. Guo, and H OgawaSurface morphology of (100) ZnTe: P layer homoepitaxially grown by horizontal MOVPE technique;　2008年発表情報;　Proceedings of SPIE, 6984, 69840M著者;　K. Yamaguchi, Y. Kuramitsu, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaMultilayer polarization elements and their applications to polarimetric studies in vacuum ultraviolet and soft X-ray regions;　2008年発表情報;　Nuclear Science and Techniques, 19, 4, 193-203著者;　M. Watanabe, T. Hatano, K. Saito, W. Hu, T. Ejima, T. Tsuru, M. Takahashi, H. Kimura, T. Hirono, Z. Wang, M. Cui, M. Yamamoto, and M. YanagiharaGrowth characteristics of ZnMgTe layer on ZnTe substrate by metalorganic vapor phase epitaxy;　2007年発表情報;　Journal of Crystal Growth, 298, 449-452著者;　K. Saito, T. Yamashita, D. Kouno, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaStudy of Al thermal diffusion in ZnTe using secondary ion mass spectroscopy;　2007年発表情報;　physica status solidi (b), 244, 5, 1634-1638著者;　T. Tanaka, N. Murata, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaPost-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE;　2007年発表情報;　physica status solidi (b), 244, 5, 1634-1638著者;　K. Saito, K. Fujimoto, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaEffect of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion;　2006年発表情報;　physica status solidi (b), 243, 4, 959-962著者;　T. Tanaka, K. Hayashida, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaPhosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Vertical Bridgman Method;　2006年発表情報;　physica status solidi (b), 3, 4, 812-816著者;　K. Saito, K. Kinoshita, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaGrowth of boron-doped ZnTe homoepitaxial layer by metalorganic vapor phase epitaxy;　2006年発表情報;　physica status solidi (c), 3, 4, 833-836著者;　K. Saito, T. Yamashita, T. Tanaka, M. Nishio,Q. Guo, and H. OgawaOptical and Electrical Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method;　2006年発表情報;　physica status solidi (c), 3, 8, 2673-2676著者;　K. Saito, G. So, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaSynchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas;　2005年08月発表情報;　Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 238, 1-4, 115-118著者;　T. Tanaka, Y. Kume, K. Hayashida, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. OgawaMagnetic rotation spectra of Co/Pt and Co/Cu multilayers in 50-90 eV region;　2005年発表情報;　Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 144-147, 757-760著者;　K. Saito, M. Igeta, T. Ejima, T. Hatano, A. Arai, and M. WatanabeAging and thermal stability of Mg/SiC and Mg/Y2O3 reflection multilayers in the 25-35 nm region;　2005年発表情報;　Applied Optics, 44, 26, 5446-5453著者;　T. Ejima, A. Yamazaki, T. Banse, K. Saito, Y. Kondo, S. Ichimaru, and H. TakenakaPolarization measurements of laboratory VUV light: a first comparison between multilayer polarizers and photoelectron angular distributions;　2003年発表情報;　Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 130, 1-3, 79-84著者;　M. Takahashi, T. Hatano, T. Ejima, Y. Kondo, K. Saito, M. Watanabe, T. Kinugawa, and J. H. D. ElandFaraday and Magnetic Kerr Rotation Measurements on Co and Ni Films Around M2,3 Edges;　2002年発表情報;　Surface Review and Letters, 9, 2, 943-947著者;　K. Saito, M. Igeta, T. Ejima, T. Hatano, and M. WatanabeMultilayer Polarizers for the Use of He-I and He-II Resonance Lines;　2002年発表情報;　Surface Review and Letters, 9, 1, 587-591著者;　T. Hatano, Y. Kondo, K. Saito, T. Ejima, M. Watanabe, and M. TakahashiHigh-Reflection Multilayer for Wavelength Range of 200-30 nm;　2001年発表情報;　Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 467-468, 333-337著者;　Y. Kondo, T. Ejima, K. Saito, T. Hatano, and M. WatanabeFaraday Rotation Measurement around Ni M2,3 Edges Using Al/YB6 Multilayer Polarizers;　1999年発表情報;　Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101–103, 287-291著者;　T. Hatano, W. Hu, K. Saito, and M. Watanabe一般講演（学術講演を含む）Improved phosphorus incorporation in MBE-grown ZnTe layer using a cracked Zn3P2 dopant source;　2024年03月発表情報;　2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年3月25日, 東京都市大学＋オンライン, 25a-22A-4.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaImpact of substrate temperature and nitrogen partial pressure on structural and optoelectronic properties of RF magnetron sputtering grown Cu3N thin films;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P9.著者;　Shanta Majumder, Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Md Abdul Majed PatwaryImprovement of phosphorus incorporation in P-doped ZnTe layers grown by molecular beam epitaxy using Zn3P2 dopant source;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P19.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaMBE法を用いてInP(100)基板上に成長したPドープZnTe薄膜の評価;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P20.著者;　末廣 誠也, ムハマド ムストファ, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹異なる酸素濃度領域を持つZnTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P25.著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹Growth and characterization of P-doped Zn1-xCdxTe grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P33.著者;　Sule Enejo Victor, Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka分子線エピタキシー法によるZnO薄膜の作製と評価;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P34.著者;　今田 樹生, 齊藤 勝彦，郭 其新，田中 徹異なるn型窓層を用いたZnTeO中間バンド型光電極の光電気化学特性;　2023年12月発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P1.著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹異なる n 型窓層を用いた ZnTeO 中間バンド型太陽電池の作製と光電極への応用;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Ea-3.著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹異なる酸素濃度領域を有する ZnTeO 中間バンド型太陽電池の作製と光電変換特性の評価;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月26日, 九州大学, 26Aa-4.著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹Influence of temperature, substrate position and nitrogen partial pressure on Cu3N thin films using RF magnetron sputtering;　2023年11月発表情報;　The 8th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 26, 2023, Kyushu University, 26Ep-7.著者;　Shanta Majumder, Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Md Abdul Majed Patwary高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu2O薄膜へのNa添加効果;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Aa-1.著者;　佐々木和希, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹PLD 法を用いたTb ドープ酸化ガリウム薄膜の作製と評価;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Aa-4.著者;　古賀 雄士, 陳澤偉, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新希土類元素ドープ酸化ガリウム薄膜の発光特性;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Aa-5.著者;　西 大貴, 陳 澤偉, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新InP(100)基板上へのP ドープZnTe 薄膜のMBE成長;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Ea-1.著者;　末廣 誠也, ムハマド ムストファ, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹MOVPE 法を用いたSiO2/Si上グラフェンへのZnTe 薄膜形成;　2023年11月発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Ea-2.著者;　都 颯, 斎藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新Enhanced phosphorus incorporation in P-doped ZnTe layers grown by molecular beam epitaxy using Zn3P2 as dopant source material;　2023年11月発表情報;　The 8th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 25, 2023, Kyushu University, 25Ep-1.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaGrowth and characterization of P-doped CdTe grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy;　2023年11月発表情報;　The 8th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 25, 2023, Kyushu University, 25Ep-2.著者;　Sule Enejo Victor, Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaZnTeO中間バンド型光電極におけるn型窓層材料の検討;　2023年09月発表情報;　2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホールほか, 2023年9月19日, 19a-D903-11.著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹酸素濃度を部分的に変化させたClドープZnTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性;　2023年09月発表情報;　2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホールほか, 2023年9月19日, 19a-D903-12.著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹反応性スパッタ法によるInGaN薄膜の成長と評価;　2023年09月発表情報;　2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2023年9月7日, 崇城大学, 10-1A-02.著者;　野中 広太郎, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新MOVPE成長したAlドープZnTe薄膜におけるポストアニール処理の効果;　2023年09月発表情報;　2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2023年9月7日, 崇城大学, 10-1A-03.著者;　平田 翔大, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新酸素プラズマを用いた PLD 法によるMgGa2O4薄膜の成長と評価;　2023年09月発表情報;　2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2023年9月7日, 崇城大学, 10-1A-01.著者;　手塚 潤也, 有田 誠, 陳 澤偉, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新Low temperature growth of magnesium gallate crystalline films;　2023年08月発表情報;　The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy-ICCGE-20, 30 July- 4 August, 2023, Naples, Italy, 12:00 - 12:15, 4 August.著者;　Qixin Guo, Junya Tetsuka, Zewei Chen, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru TanakaClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の二段階光吸収電流の評価;　2023年06月発表情報;　第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第3回日本太陽光発電学会学術講演会）, 京都テルサ, 2023年6月30日, 6-3.著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹Effect of P-doping in ZnTe thin films grown by molecular beam epitaxy under alternating supply;　2023年03月発表情報;　2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学＋オンライン, 2023年3月16日, 16a-D221-1.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電極への応用;　2023年03月発表情報;　2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学＋オンライン, 2023年3月17日, 17p-PB03-5.著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性;　2023年03月発表情報;　2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学＋オンライン, 2023年3月17日, 17p-PB03-6.著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹PLD法を用いたMgGa2O4薄膜の作製と評価;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Ap-3著者;　手塚 潤也, 有田 誠, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Bp-9著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹高周波マグネトロンスパッタリング法によりサファイア基板上に作製したCu3N薄膜の基板温度依存性;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Bp-10著者;　大石 美帆, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹多重セレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Bp-11著者;　田村 優汰, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹分子線エピタキシー法によるZnNiO薄膜の成長と評価;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Ca-1著者;　今田 樹生, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹n-ZnS/ZnTeヘテロ接合光電極を用いた水の可視光分解用光触媒の開発;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Ca-2著者;　堤 龍介, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹ZnTeO光電極における光電気化学特性の酸素濃度依存性;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Ca-3著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹MOVPE成長Alドープ ZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響 (２);　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Ca-4著者;　平田 翔大, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新RFスパッタリング法によるInGaN薄膜の低温成長と評価;　2022年11月発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会、2022年１１月２６日、大分大学、26Cp-1著者;　野中 広太郎, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新Alternating molecular beam epitaxial growth of phosphorus-doped ZnTe thin films;　2022年11月発表情報;　The 7th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 26-27, 2022, Oita University, 26Ea-2.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaPhotoelectrochemical properties of a highly-mismatched ZnTeO alloys grown by molecular beam epitaxy;　2022年11月発表情報;　33rd International Photovoltaic and Engineering Conference November 13-17, 2022, Nagoya, Japan, WeP-21-03著者;　Takaki Sonoyama, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Shigeru Ikeda, Tooru TanakaMBE growth and photochemical properties evaluation of n-ZnS/ZnTe thin films;　2022年11月発表情報;　33rd International Photovoltaic and Engineering Conference November 13-17, 2022, Nagoya, Japan, WeP-21-05著者;　Ryusuke Tsutsumi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Shigeru Ikeda, Tooru TanakaEffect of NaF addition to precursor for fabricating Cu2ZnSnSe4 thin films on alkali-free substrates by selenization;　2022年11月発表情報;　33rd International Photovoltaic and Engineering Conference November 13-17, 2022, Nagoya, Japan,TuP-32-37.著者;　Yuta Tamura, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaEffect of Cl-doping in ZnCdTeO on photovoltaic properties of ZnCdTeO intermediate band solar cells;　2022年11月発表情報;　33rd International Photovoltaic and Engineering Conference November 13-17, 2022, Nagoya, Japan,TuP-42-01著者;　Daiki Tani, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaThe Effect of MBE alternating growth of phosphorus-doped ZnTe thin films;　2022年11月発表情報;　33rd International Photovoltaic and Engineering Conference November 13-17, 2022, Nagoya, Japan, TuP-42-03著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaEffect of nitrogen partial pressure on properties of Cu3N thin films by RF magnetron sputtering;　2022年11月発表情報;　33rd International Photovoltaic and Engineering Conference November 13-17, 2022, Nagoya, Japan, TuP-42-12著者;　Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaRFスパッタリング法によるInGaN の薄膜成長と評価;　2022年09月発表情報;　2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会、08-1P-01、2022年９月16日、Online.著者;　有働隆一, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の評価;　2022年09月発表情報;　2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会、02-1A-07、2022年９月１６日、Online.著者;　谷 大樹, 斎藤勝彦, 郭 其新, 田中 徹分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電気化学特性の評価;　2022年09月発表情報;　2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会、02-1A-06、2022年９月１６日、Online.著者;　園山天暉, 齊藤勝彦, 池田 茂, 郭 其新, 田中 徹Growth and Characterization of GaInN Films by Reactive Sputtering;　2022年09月発表情報;　The 22nd International Vacuum Congress, September 11-16 , 2022, Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, Wed-PO1B-9.著者;　Qixin Guo, Ryuuichi Udou, Kotaro Nonaka, Katsuhiko Saito, and Tooru TanakaGrowth of Magnesium Gallate Films by Pulsed Laser Deposition;　2022年09月発表情報;　9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Nagoya, Japan, MP2-7, September 5, 2022.著者;　Qixin Guo, Junya Tetsuka, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru TanakaHeteroepitaxial Growth of (AlGa)2O3 Thin Films on Sapphire Substrates by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition;　2022年05月発表情報;　5th International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD 2022), Maison Glad Jeju, Jeju, Korea, May 23-26, 2022, WeA1-3, Online.著者;　Zewei Chen, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin GuoRutile GeO2 Film with (100) Orientation Grown on c-Plane Sapphire Substrate by Pulsed Laser Deposition;　2022年05月発表情報;　5th International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD 2022), Maison Glad Jeju, Jeju, Korea, May 23-26, 2022, P-28, On-demand, Online.著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin GuoGrowth and characterization of phosphorus-doped ZnTe thin films by MBE;　2022年03月発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学＋オンライン, 2022年3月25日, 25p-D113-2.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka分子線エピタキシー成長による ZnTe 光電極を用いた 水の還元反応の評価;　2022年03月発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学＋オンライン, 2022年3月23日, 23p-E106-2.著者;　堤 龍介, 斎藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹RFマグネトロンスパッタ法によるCu3N薄膜の窒素分圧依存性;　2022年03月発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学＋オンライン, 2022年3月23日, 23p-E106-5著者;　大石 美帆, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹MOVPE成長AlドープZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン,2021年12月5日, 5Ca-4著者;　澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新Epitaxial growth of rutile GeO2 film on sapphire substrate by pulsed laser deposition;　2021年12月発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 5 December, 2021, Online, 5Ea-P2著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin GuoThe effect of thermal annealing on the optical properties of europium doped Ga2O3 films;　2021年12月発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 5 December, 2021, Online, 5Ea-P12著者;　Yafei Huang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin GuoNear-infrared light-emitting devices based on Tm-doped gallium oxides;　2021年12月発表情報;　著者;　Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guon型窓層にAlドープ ZnCdOを用いたZnTe太陽電池の作製と評価;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-10.著者;　七種朗，Hyo Chang Jang，齊藤勝彦，郭其新，田中徹高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の膜特性に及ぼす基板温度及び基板位置の効果;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-11.著者;　大石美帆，齊藤勝彦，郭其新，田中徹セレン化法による無アルカリ基板上へのCu2ZnSnSe4薄膜作製におけるプリカーサへのNaF添加効果;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-12著者;　田村優汰，齋藤勝彦，郭其新，田中徹分子線エピタキシー法による光触媒応用を目指したZnTe薄膜の成長と光電気化学特性の評価;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-13著者;　堤龍介，吉永智大，齊藤勝彦，郭其新，池田茂，田中徹酸素ラジカル源を用いたPLD法によるSi基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Cp-1著者;　眞弓晃，齊藤勝彦，田中徹，郭其新RFスパッタリング法によるInGaNの薄膜成長と評価;　2021年12月発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Cp-2著者;　有働隆一，斉藤勝彦，田中徹，郭其新Growth of phosphorus-doped ZnTe thin films using InP dopant sources by MBE;　2021年12月発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 4 December, 2021, Online, 4Dp-2.著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaGrowth and characterization of Al-doped and undoped Zn1-xCdxO by molecular beam epitaxy under high oxygen flow rate;　2021年12月発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 4 December, 2021, Online, 4Ep-6著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaGGG基板上ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価;　2021年09月発表情報;　2021年度(第74回)電気・情報関係学会九州支部連合大会(オンライン開催), 2021年9月25日, 02-2P-05著者;　澤田航哉, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新Improved properties of low-resistive Al-doped ZnCdO thin films by MBE;　2020年03月発表情報;　2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学, 2020年3月13日, 13a-D215-2著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka分子線エピタキシー法による光触媒応用を目指したZnO1-xTex薄膜の成長;　2020年03月発表情報;　2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学, 2020年3月13日, 13a-D215-3著者;　吉永 智大, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹Growth and characterization RS-ZnCdO thin films on MgO(100) substrates by molecular beam epitaxy;　2019年12月発表情報;　Materials Research Meeting 2019, December 10-14, 2019, Yokohama著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz金属スピントロニック素子によるテラヘルツ波放射の材料依存;　2019年12月発表情報;　2019年度日本物理学会北陸支部定例学術講演会, 富山県立大学, 2019年12月7日著者;　舘岡 千椰佳, 谷 正彦, Valynn Mag-usara, Miezel Talara, Garik Torosyan, René Beigang, 齊藤 勝彦,郭 其新, Jessica Afalla, 古屋 岳, Mary Clare Escaño, 北原 英明, 中嶋 誠, Dmitry Bulgarevich, 渡邊 誠分子線エピタキシー法によるZnOTe薄膜の作製と評価;　2019年11月発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 23Cp-10, 2019年11月23日 - 24日著者;　吉永智大, 齊藤勝彦, 郭其新, 池田茂, 田中徹GaAs(110)面上へのZnSe薄膜のMBE成長;　2019年11月発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 23Cp-11 , 2019年11月23日 - 24日著者;　福山耕平, 齊藤勝彦, 郭其新, 田中徹ZnSeを含む積層プリカーサのセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2019年11月発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 24Dp-4, 2019年11月23日 - 24日著者;　宮原諒也, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新Si基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2019年11月発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 24Dp-5, 2019年11月23日 - 24日著者;　本村俊輔, 齊藤勝彦, 田中徹, 郭其新Influence of nitrogen doping on properties of Cu4O3 thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering for low-cost solar cells;　2019年11月発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), Kumamoto University, 23Ep-1, Nov. 23 - 24, 2019著者;　Md Abdul Majed Patwary, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Wladek WalukiewiczInfluence of oxygen flow rate on properties of Al-doped ZnCdO thin films grown by radical-source molecular beam epitaxy;　2019年11月発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), Kumamoto University, 23Ep-5, Nov. 23 - 24, 2019著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaEpitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on sapphire substrates by pulsed laser deposition;　2019年11月発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), Kumamoto University, 23Fa-2, Nov. 23 - 24, 2019著者;　Chen Zewei, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin GuoPhotoluminescence of Eu doped (InGa)2O3 films deposited at various substrate temperatures;　2019年11月発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), Kumamoto University, 23Fa-3, Nov. 23 - 24, 2019著者;　Chengyu Pan, Fabi Zhang, Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru TanakaEffect of assistant RF plasma on structure and properties of Ga2O3 related thin films prepared by pulsed laser deposition;　2019年11月発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), Kumamoto University, 23Fa-4, Nov. 23 - 24, 2019著者;　Fabi Zhang, Congyu Hu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin GuoEffect of bandgap on the luminescence properties of Er-doped (AlxGa1-x)2O3 films;　2019年11月発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), Kumamoto University, 23Fa-5, Nov. 23 - 24, 2019著者;　Gaofeng Deng, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Makoto Arita, Qixin GuoP and Al co-doped ZnTe Epilayers Grown by MOVPE;　2019年10月発表情報;　The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, P-10, October 27-31, 2019, Zhengzhou, China著者;　K. Saito, T. Hamada, Y. Hara, T. Tanaka, Q. GuoMBE growth and characterization of Cl-doped ZnCdTeO layers for intermediate band solar cells;　2019年10月発表情報;　The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, P-35, October 27-31, 2019, Zhengzhou, China著者;　Y. Watanabe, T. Izumi, K. Saito, Q. Guo, T. Tanaka, K. M. Yu, and W.WalukiewiczLow temperature growth of Tm doped gallium oxide films by plasma-assisted pulsed laser deposition;　2019年09月発表情報;　he 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV), September 8-13, 2019, Saint Petersburg, Russia, We-3p著者;　Q. Guo, S. Motomura, K. Saito, T. TanakaAl，P共添加ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価;　2019年09月発表情報;　2019年度（第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 九州工業大学, 04-1P-05, 2019年9月27日 - 28日著者;　浜田樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新RFスパッタリング法によるInGaN薄膜成長及び評価;　2019年09月発表情報;　2019年度（第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 九州工業大学, 04-1P-06, 2019年9月27日 - 28日著者;　境伶王, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新Growth of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates by molecular beam epitaxy;　2019年03月発表情報;　2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成31年3月10日, 10a-W922-5著者;　HyoChang Jang, Kento Matsuo, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru TanakaMBE によるCl ドープZnCdTeO 層の膜特性の組成依存性;　2019年03月発表情報;　2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成31年3月10日, 10a-W922-6著者;　渡辺 裕介, 峯 拓郎, 松尾 健斗, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹InPをドーパント源に用いたPドープZnTe薄膜のMBE成長;　2019年03月発表情報;　2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成31年3月10日, 10a-W922-7著者;　三島 聖也, 松尾 健斗, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 山根啓輔, 若原 昭浩, 田中 徹分子線エピタキシー法を用いたGaAs(100)基板上へのZnSe 薄膜成長;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-1著者;　福山 耕平, 松尾 健斗, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新分子線エピタキシー法によるP ドープZnTe 薄膜の成長と評価;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-2著者;　松尾健斗, 渡辺裕介, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新減圧MOVPE 法による(100)GaAs 基板上へのZnMgSeTe 薄膜成長;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-3著者;　浜田 樹，平木 美穂，原 悠馬，斉藤 勝彦，田中 徹，郭 其新Cl ドープZnTeO 中間バンド型太陽電池における光電変換特性の酸素濃度及び温度依存性;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-4著者;　泉 健夫, 松尾 健斗, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新RF スパッタリング法によるGaN を用いたInGaN 薄膜成長に関する研究;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-5著者;　境伶王，斉藤勝彦，田中徹，郭 其新酸素ラジカル源を用いたPLD 法によるサファイア基板上へのSi ドープGa2O3 薄膜の作製と評価;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ap-1著者;　岡崎里紗，斉藤勝彦，田中徹，郭其新酸素ラジカル源を用いたPLD 法によるα-Al2O3 基板上へのTm ドープGa2O3 薄膜の成長と評 価;　2018年12月発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ap-2著者;　田崎 純平，斉藤勝彦，田中徹，郭其新Characterization of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates by molecular beam epitaxy;　2018年12月発表情報;　The 3rd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 8 December, 2018, Fukuoka, 8Po-5著者;　HyoChang Jang, Kento Matsuo, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito and Qixin GuoEffect of oxygen flow rate and temperature on Cu4O3 Thin Films by Radio Frequency Sputtering;　2018年12月発表情報;　The 3rd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 8 December, 2018, Fukuoka, 8Po-6著者;　Md Abdul Majed Patwary, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Wladek WalukiewiczHPT加工を施したバルクナノ結晶粒シリコンの電子状態変化;　2018年09月発表情報;　日本金属学会2018年秋期（第163回）講演大会著者;　生駒　嘉史, Bumsoo Chon, 山崎　輝真, 堀田　善治, 高橋　和敏, 齊藤　勝彦, 郭　其新Growth and characterization of CdZnO thin films on sapphire substrates by MBE;　2018年09月発表情報;　20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 4, 2018, Shanghai, China, Tu-C2-1著者;　HyoChang Jang, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Yeonbae Lee, and Wladek WalukiewiczGrowth of P-doped ZnTe epilayers on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy;　2018年09月発表情報;　20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 4, 2018, Shanghai, China, Tu-P-20著者;　K. Matsuo, Y. Watanabe, T. Tanaka, K. Saito, Y. Nose, Q. Guo, K. M. Yu, and W. WalukiewiczClドープZnTeO中間バンド型太陽電池における光電変換特性の酸素濃度依存性;　2018年09月発表情報;　2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB5-13, 名古屋国際会議場, 2018年9月19日著者;　泉 健夫, 堤 修治, 松尾 健斗, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新SnSeを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2018年09月発表情報;　2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-431B-1, 名古屋国際会議場, 2018年9月21日著者;　辻 俊一, 宮原 諒也, 嘉藤 祐介, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新MOVPE growth of ZnMgSeTe alloys on (100) GaAa substrates;　2018年06月発表情報;　19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy著者;　Katsuhiko Saito,Yusei Matsuo, Akihiro Tomota, Tatsuki Hamada, Yuken Oishi, Tooru Tanaka,and Qixin GuoProduction of bulk nanograined Si by high-pressure torsion at various pressures;　2018年03月発表情報;　TMS2018 147th Annual Meeting & Exhibition著者;　Yoshifumi Ikoma, Terumasa Yamasaki, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Zenji HoritaMBE成長によるZnTe薄膜へのPドーピング;　2018年03月発表情報;　2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 平成30年3月20日, 20a-F210-2著者;　松尾健斗, 渡辺裕介, 堤 修治, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新, 野瀬嘉太郎RFスパッタリング法によるGaAs(100)基板上へのGaN薄膜成長;　2017年09月発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-01著者;　伊藤　亘、境　伶王、齊藤勝彦、田中　徹、郭　其新PLD法を用いたサファイア基板上へのSiドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2017年09月発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-02著者;　岡﨑里紗、森　龍、田﨑純平、斉藤勝彦、田中　徹、郭　其新PLD法によるTmドープGa2O3薄膜の成長と評価;　2017年09月発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-03著者;　森　龍、齊藤勝彦、田中　徹、郭　其新PLD法によるサファイア基板上へのLiNbO3薄膜成長及び評価に関する研究;　2017年09月発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-04著者;　田﨑純平、森　龍、岡﨑里紗、斉藤勝彦、田中　徹、郭　其新Synthesis of Cl-doped ZnTeO for Intermediate Band Solar Cells;　2016年12月発表情報;　第26回日本MRS年次大会, 産業貿易センタービル, 横浜市, 平成28年12月20日, A3-P20-002著者;　S. Tsutsumi, Y. Okano, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. WalukiewiczRF スパッタリング法によるGaAs(100)基板上へのGaN 薄膜成長;　2016年12月発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-6.著者;　伊藤 亘, 下川 顕太郎, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新Cl ドープZnTeO 薄膜のMBE 成長と中間バンド型太陽電池への応用;　2016年12月発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-5.著者;　堤 修治, 岡野 友紀, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘MBE により成長したZnCdO 薄膜の特性評価;　2016年12月発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-4.著者;　潮 昇平, 岡野 友紀, 堤 修治, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘金属積層プリカーサのセレン化によるCu2ZnSnSe4 薄膜の作製と評価;　2016年12月発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-3.著者;　嘉藤 祐介, 辻 俊一, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘減圧有機金属気相成長法によるZn1-xMgxSeyTe1-y のドーピング特性;　2016年12月発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-2.著者;　松尾友誠, 友田晃宏, 齋藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘有機金属気相法による4 元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の諸特性の成長室内圧力効果;　2016年12月発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-1.著者;　友田 晃宏, 松尾 友誠, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘ZnCdO透明導電膜の作製と評価;　2016年11月発表情報;　第1回フロンティア太陽電池セミナー, 2016年11月17日, 京都大学著者;　田中徹, 潮昇平，岡野友紀, 堤修治, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘中間バンド型太陽電池用ZnCdTeO薄膜の成長と評価;　2016年11月発表情報;　第1回フロンティア太陽電池セミナー, 2016年11月17日, 京都大学著者;　田中徹, 岡野友紀, 堤修治, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘MBEによるサファイア基板上ZnCdO薄膜の光学的・電気的特性評価;　2016年10月発表情報;　2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月13日, 13p-D61-6,朱鷺メッセ, 新潟.著者;　潮 昇平, 岡野 友紀, 堤 修治, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘Crystal growth of gallium oxide based wide bandgap semiconductors;　2016年10月発表情報;　International conference on applied crystallography, October 17-19, 2016, Houston, USA, Oct. 18 16:45-17:10著者;　Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro NishioGrowth of Zn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5) highly mismatched alloys for intermediate band solar cells;　2016年10月発表情報;　26th edition of the International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26), 26 October 2016, Singapore.著者;　T. Tanaka, T. Terasawa, Y. Okano, S. Tsutsumi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. WalukiewiczMBE成長ZnCdTeO薄膜の光学特性の評価と太陽電池応用;　2016年09月発表情報;　著者;　岡野友紀, 堤　修治, 潮　昇平, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長に関する研究;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-07著者;　下川顕太郎, 伊藤　亘, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新PLD法によるp型Si(111)基板上へのEuドープGa2O3薄膜の成長と評価;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-06著者;　野田真司, 陳　政委, 斉藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新有機金属化学気相法により作製された燐ド－プZn1-xMgxSeyTe1-y膜のアニ－ル処理効果;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-05著者;　松尾友誠, 友田晃宏, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘減圧有機金属化学気相法による燐ド－プZn1-xMgxSeyTe1-y膜の作製と評価;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-04著者;　中鶴悠太, 庄野智瑛, 松尾友誠, 友田晃宏, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘減圧有機金属気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の組成制御と結晶評価;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-03著者;　友田晃宏, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 松尾友誠, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al2O3基板上へのZnTe単結晶の成長;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-02著者;　森　龍, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新減圧有機金属気相成長法により作製されたAs-grownとアニ－ル処理後の燐ド－プZnTe膜の電気的光学的性質;　2016年09月発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-01.著者;　庄野智瑛, 中鶴悠太, 松尾友誠, 友田晃宏, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘MBEによるZn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5)薄膜の成長と評価;　2016年09月発表情報;　2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月14日, 14p-P8-2,朱鷺メッセ, 新潟.著者;　寺沢俊貴, 岡野友紀, 堤修治, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘Epitaxial growth of Ga2O3:Er films on silicon substrate;　2016年08月発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, MoP-G04.著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. GuoLow temperature growth of ZnO/MgZnO single quantum well;　2016年08月発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04.著者;　X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.-X. GuoGrowth of ZnMgSeTe nearly Lattice-matched to ZnTe and p-type Doping by Low-pressure MOVPE;　2016年08月発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-10.著者;　K. Saito, M. Nishio, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. GuoPhotoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE;　2016年08月発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.著者;　M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. GuoGreen Electroluminescence from Er Doped Gallium Oxide/Silicon Heterostructured Light Emitting Device;　2016年06月発表情報;　58th Electronic Materials Conference, June 22-24, 2016, University of Delaware, Newark, DE, June 22, PS7.著者;　Qixin Guo, Zhenwei Chen, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro NishioMBE法によるClドープZnTeOの光学特性の評価;　2016年03月発表情報;　2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日, 21a-H113-4著者;　堤修治，岡野 友紀,寺沢 俊貴, 田中 徹,　斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘分子線エピタキシ－法よるZnCdTeO薄膜の成長と評価;　2016年03月発表情報;　2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日,　21a-H113-5著者;　潮昇平，寺沢 俊貴,岡野 友紀, 田中 徹,　斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘PLD法によるp型Si(111)基板上へのErド－プGa2O3薄膜の成長と評価;　2016年03月発表情報;　2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日,　20ｐ-S223-17著者;　野田真司、陳政委、斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新Cl-doping in Highly Mismatched ZnTe1-xOx Alloys for Intermediate Band Solar Cells;　2016年02月発表情報;　43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-43), June 9, 2016, Portland. 772.著者;　T. Tanaka, S. Tsutsumi, Y. Okano, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. WalukiewiczMBE法によるCｌドープZnTeOのフォトルミネッセンス特性の評価;　2015年12月発表情報;　2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日　琉球大学　5Ba-7著者;　堤　修治、岡野 友紀, 寺沢 俊貴, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘PDL法によるErドープGa2O3薄膜成長とフォトルミネッセンス;　2015年12月発表情報;　2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日　琉球大学　5Ba-8著者;　野田 真司，陳 政委，斉藤 勝彦,　田中 徹,　西尾 光弘,　郭 其新RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長;　2015年12月発表情報;　2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日　琉球大学　5Ba-9著者;　下川顕太郎，斉藤 勝彦,　田中 徹,　西尾 光弘,　郭 其新有機金属気相成長法により作製されたPド－プZnTeエピ膜の電気的性質の温度依存性;　2015年12月発表情報;　2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日　琉球大学　5Ba-10著者;　中鶴悠太，庄野智瑛，斉藤 勝彦,　田中 徹,　郭 其新,　西尾 光弘Zn1-xCdXTe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用;　2015年12月発表情報;　平成27年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会シティホールプラザ アオーレ長岡 市民交流ホールＡ　2015年12月11日（金）～12日（土）P-30著者;　岡野友紀，寺沢俊貴，田中徹，齊藤勝彦，郭其新，西尾光弘有機金属化学気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の成長と評価;　2015年12月発表情報;　平成27年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会シティホールプラザ アオーレ長岡 市民交流ホールＡ　2015年12月11日（金）～12日（土）P-31著者;　庄野智瑛，中靏悠太，阿比留昌克，荒木康博，田中大地，森英一郎，齊藤勝彦，田中徹，郭其新，西尾光弘Si-Doped Ga2O3 Films Grown by Pulsed Laser Deposition;　2015年11月発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E29, November 3-6, 2015, Kyoto著者;　F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. GuoThe Effect of Growth Temperature on Structural and Optical Properties of Europium Doped Ga2O3 Films;　2015年11月発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E30, November 3-6, 2015, Kyoto著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. GuoEffect of Substrate Temperature on Structures and Optical Properties of (AlGa)2O3 Films;　2015年11月発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E33, November 3-6, 2015, Kyoto著者;　X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. GuoInfluence of Source Transport Rate upon Compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2015年09月発表情報;　The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials 13-18 Sept. 2015 Paris MOP-21著者;　K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. NishioLow Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers;　2015年09月発表情報;　The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials 13-18 Sept. 2015 Paris MOP-23著者;　M. Nishio, K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q.X. GuoMBEによるCl添加ZnTeO薄膜の成長と評価;　2015年09月発表情報;　2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 平成27年9月13日-16日, 13p-PB1-2著者;　田中 徹,　堤修治，岡野 友紀,寺沢 俊貴, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘分子線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の作製と評価;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-04著者;　潮　昇平, 田中　徹, 齊藤勝彦, 西尾光弘, 郭　其新多源蒸着法によるCu 2 SnSe 3 薄膜の作製および評価;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-05著者;　坂本　駿, 嘉藤祐介, 齊藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘, 田中　徹PLD法によるアンドープZnTe薄膜成長及び評価;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-08著者;　中島洋平, 野田真司, 齊藤勝彦, 西尾光弘, 田中　徹, 郭　其新PLD成長Sn成長ドープGa2O3薄膜の特性に及ぼす酸素圧力の影響;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-09著者;　姜　英希, 張　法碧, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新スパッタリング法によるMgO(100)基板上へのGaN薄膜成長;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-10著者;　藤坂　遼, 下川顕太郎, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新減圧有機金属気相成長法によるZnSexTe1-xの作製と評価;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-12著者;　森　英一郎, 阿比留昌克, 荒木康博, 田中大地, 中靏悠太, 庄野智瑛, 齋藤勝彦, 田中　徹,郭　其新, 西尾光弘減圧MOVPE法により作製されたZn1-xMgxTe膜の特性に及ぼす原料供給量の効果;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-13著者;　阿比留昌克, 森　英一郎, 荒木康博, 田中大地, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齋藤勝彦, 田中　徹,郭　其新, 西尾光弘MOVPE法による燐ドープZnTe膜の特性に及ぼす成長室圧力の影響;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-13著者;　荒木康博, 阿比留昌克, 田中大地, 森　英一郎, 齋藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘減圧MOVPE法によるp-ZnTe膜の特性のTDMAP供給量の効果;　2015年09月発表情報;　平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会平成２７年９月２６日（土）～９月２７日（日）福岡大学05-2P-15著者;　田中大地, 阿比留昌克, 荒木康博, 森　英一郎, 斎藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘 Growth and Characterization of Zn-MgSeTe Epilayers on ZnTe Substrates by Molecular Beam Epitaxy;　2013年09月発表情報;　The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. Tu-P13.著者;　Kosuke Mizoguchi, Yasuhiro Nagao, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio Correlation Between Photoluminescence and Carrier Concentration in Phosphorus-doped ZnTe;　2013年09月発表情報;　The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P27.著者;　Katsuhiko Saito, Ryosuke Ito, Kento Tanaka, Kensuke Urata, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio Molecular Beam Epitaxy of n-ZnS Epilayers for ZnTe Solar Cell Application;　2013年09月発表情報;　The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P15.著者;　Shin Haraguchi, Masaki Miyabara, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz Growth and Characterization of Zn1-xMgxSeyTe1-y on ZnTe Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013年09月発表情報;　The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P13.著者;　Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Ryosuke Ito, Kento Tanaka, Kensuke Urata, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka, and Qixin Guo Fabrication of ZnO/ZnTe Heterojunction by Using a Room Temperature Direct Bonding Technology;　2013年09月発表情報;　The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P10.著者;　Hajime Akiyama, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo Growth of GaInN films on silicon substrates by reactive sputtering;　2013年07月発表情報;　The 12th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kyoto Research Park, July 10-12, 2013, TF P1-1.著者;　Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio シンクロトロン放射光電子分光法によるZnTe/GaAsへテロ界面のバンドアライメント評価;　2013年07月発表情報;　産業技術総合研究所・九州シンクロトロン光研究センター 合同シンポジウム著者;　齊藤勝彦、高橋和敏、秋山肇、田中徹、西尾光弘、郭其新 Characterization of ZnTe layers on (0001) ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2013年05月発表情報;　The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kober Convention Center, Kobe, Japan, MoPC-01-09.著者;　Hajime Akiyama, Tooru Idekoba, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo Growth of Gallium Oxide Films by Pulsed Laser Deposition;　2013年05月発表情報;　The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kober Convention Center, Kobe, Japan, MoPC-07-08.著者;　Qixin Guo, Fabi Zhang, Kouji Wakamatsu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro NishioAl電極の透明化により作製されたZnTe緑色LEDの特性;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-6.著者;　山下純司, 丸山祐一, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘ZnTe緑色LEDの為のAl電極のエッチング;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-7.著者;　丸山祐一, 山下純司, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘分子線エピタキシー法によりZnTe基板上に成長させたn型ZnS薄膜の作製と評価;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-8.著者;　宮原雅宜, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘MOVPE法による(111)GaAs基板上へのZnTe薄膜成長及び特性評価;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-9.著者;　出木場透, 平野博之, 田中徹, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 郭其新ZnCdTeOを用いた中間バンド型太陽電池の作製と評価;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-1.著者;　長尾康弘, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘MOVPE法により成長されたPドープZn1-xMgxTeエピ膜の電気的性質及びフォトルミネッセンス特性に及ぼすアニール処理効果;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-3.著者;　藤木良太, 伊藤綾祐, 田中健人, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘有機金属気相エピタキシャル法で成長されたZnTe膜の燐ドーピングに及ぼす原料供給量の影響;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-4.著者;　田中健人, 藤木良太, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘MOVPE法で作製されたZnTe薄膜の表面形態とフォトルミネッセンス特性;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-5.著者;　伊藤綾祐, 藤木良太, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜太陽電池におけるKCNエッチング効果;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 1Ba-5.著者;　末石竜也, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘PLD法によりα-Aｌ2O3基板上に作成したGa2O3薄膜の評価;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fp-5.著者;　若松 剛次, 木稲 貴治, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新RFスパッタリング法によるSi基板上のInGaN薄膜成長に関する研究;　2012年12月発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fp-1.著者;　中尾友也, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新ZnTeO中間バンド型太陽電池における二段階光吸収による電流生成;　2012年10月発表情報;　第４回薄膜太陽電池セミナ－2012, 龍谷大学アバンティ響都ホ－ル, 2012年10月18-19日, P2-11.著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz酸素イオン注入によるマルチバンドギャップ半導体ZnTe1-xOxの作製と光学特性の評価;　2012年10月発表情報;　第７回高崎量子応用研究シンポジウム, 高崎シティギャラリー, 2012年10月11-12日, 1P-11.著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewiczα-Al2O3基板上へのPLD法によるGa2O3薄膜作製と評価;　2012年09月発表情報;　平成24年度第65回電気関係学会九州支部連合大会, 長崎大学，2012年9月24日，05-1A-07.著者;　木稲貴治，若松剛次，西尾光弘，郭其新，田中徹，斉藤勝彦MOVPE法によるZnO基板上ZnTe薄膜の作製と評価;　2012年09月発表情報;　平成24年度第65回電気関係学会九州支部連合大会, 長崎大学，2012年9月24日，05-1A-06.著者;　平野博之，秋山肇，西尾光弘，郭其新，田中徹，斉藤勝彦Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells;　2012年09月発表情報;　The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 23-28, 2012, Nara, TuP-22.著者;　Y. Nagao, T. Mochinaga, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, and W. WalukiewiczZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と特性評価;　2012年09月発表情報;　2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, 2012年9月12日, 12p-H8-3.著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. WalukiewiczDevelopment of ZnTe-based solar cells;　2012年08月発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 2P-PS28.著者;　M. Miyabara, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. WalukiewiczGrowth of ZnTe Layers on (0001) ZnO Substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2012年08月発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 3A-OS01-06.著者;　H. Akiyama, H. Hirano, T. Konomi, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. GuoSynchrotron-Radiation-Excited UV-VIS Luminescence Experimental Station at Saga University beamline BL13: Design and Installation Progress;　2012年08月発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 2P-PS20.著者;　K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. GuoSynthesis and Optical Properties of ZnTe1-xOx Highly Mismatched Alloys for Intermediate Band Solar Cells;　2012年06月発表情報;　37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 3-8, 2012, Austin, Texas.著者;　T. Tanaka, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. WalukiewicInfluence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-doped ZnMgTe Layers by MOVPE;　2012年05月発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-62.著者;　K. Saito, K. Sekioka, T. Tanaka, Q. Guo, and M. NishioSurface Morphologies and Photoluminescence Properties of Undoped and P-doped ZnTe Layers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy;　2012年05月発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-63.著者;　M. Nishio, Y. Hayashida, K. Saito, T. Tanaka, and Q. GuoEffects of Annealing Treatment upon Electrical and Photoluminescence Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Epilayers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy;　2012年05月発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, ThB1-4.著者;　M. Nishio, K. Kai, R. Fujiki, K. Saito, T. Tanaka, and Q. GuoCharacterization of ZnTe Epilayers on GaAs (111) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2012年05月発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-59.著者;　Q. Guo, H. Akiyama, H. Hirano, K. Saito, T. Tanaka, and M. NishioZnCdTeOのMBE成長と物性評価;　2012年03月発表情報;　2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 平成24年3月18日, 18a-F11-4.著者;　長尾 康弘, 持永 智洋, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF ZnTe1-XOX LAYERS FOR INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL APPLICATIONS;　2011年12月発表情報;　21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 3D-5P-35, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.著者;　T. Tanaka, S. Kusaba, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. WalukiewiczCOMPOSITION DEPENDENCE OF ELECTRICAL PROPERTIES OF CU2ZNSNSE4 THIN FILMS FABRICATED BY CO-EVAPORATION;　2011年12月発表情報;　21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 4D-3P-14, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.著者;　T. Sueishi, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. WalukiewiczGaAs(111)基板上へPLD法によるZnO薄膜作製;　2011年11月発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-1.著者;　木稲 貴治, 中村 和樹, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新酸素イオン注入により作製したZnTeO薄膜の評価;　2011年11月発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-4.著者;　草場修平, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. WalukiewiczMBE法によるZnCdTe成長と物性評価;　2011年11月発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-3.著者;　持永智洋, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘MOVPE法による(111)GaAs基板上のZnTe薄膜の作製と評価;　2011年11月発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-2.著者;　平野 博之, 御厨 雄大, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新分子線エピタキシー法により形成したZnTeO薄膜の光学特性;　2011年09月発表情報;　2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会, 山形大学, 平成23年9月1日, 1p-ZA-12.著者;　田中徹, 草場修平, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, K. M. Yu, W. WalukiewiczZnTeO薄膜の分子線エピタキシャル成長と評価;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-03.著者;　長尾康弘, 草場修平, 持永智洋, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz有機金属気相成長法によるZnTeヘテロエピタキシャル薄膜のGaAs(111)基板上への作製及び特性評価;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-04.著者;　御厨雄大, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新PLD法によるAl2O3（001）基板上へのFe3O4薄膜作製;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-05.著者;　中村和樹, 木稲貴治, 斉藤勝彦, 有田　誠, 生駒嘉史, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新ZnTe緑色LEDのAl電極透明化の為のAlエッチング特性;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-06.著者;　山下純司, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘Cu2ZnSnSe4薄膜におけるCu2Se相の選択エッチングに関する研究;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-07.著者;　末石竜也, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. WalukiewiczPドープZnMgTeエピ膜のフォトルミネッセンスに及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-08.著者;　藤木良太, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘RFスパッタリング法により作製されたInGaN薄膜の特性評価;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-09.著者;　千田広崇, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新PドープZn1-xMgxTeバルク結晶の電気的特性の測定温度依存性、ラマンスペクトルのＭｇ組成依存性;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-10.著者;　樋渡恭佑, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘MOVPE法によって成長されたPドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-11.著者;　甲斐敬太, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘透明導電膜を用いたZnTe太陽電池の作製と評価;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-12.著者;　宮原雅宜, 持永智洋, 草場修平, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘ＰドープZnMgTeエピ膜の成長特性に及ぼすDETe供給量依存性;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-01.著者;　林田裕次, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘ＰドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすTDMAP供給量効果;　2011年09月発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-02.著者;　関岡敬太, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 田中　徹, 郭　其新Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE;　2011年08月発表情報;　15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Tu-P04.著者;　K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. NishioInfluence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE;　2011年08月発表情報;　15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Thu-P03.著者;　M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, Q.X. GuoFundamental properties of sputtered InGaN films;　2011年07月発表情報;　The Eleventh International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, July 6-8, 2011, Kyoto, Japan, TF P1-20.著者;　Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. Fan, and D. Zhang酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性と中間バンド太陽電池応用;　2011年06月発表情報;　第８回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 岐阜市じゅうろくプラザ, 平成23年6月30日-7月1日, J-12.著者;　田中徹, 草場修平, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性;　2011年03月発表情報;　2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27p-BQ-4著者;　田中徹，草場修平，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘，K. M. Yu，W. WalukiewiczGrowth of ZnTe nanowires by molecular beam exitaxy;　2011年03月発表情報;　International colloquium on “Recent progress in nanofabrications of MEMS and NEMS: Science and innovation technologies”, Hakata, Fukuoka, March 24, 2010.著者;　T. Mochinaga, H. Ohshita, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, and M. NishioAl熱拡散を用いたZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価;　2011年03月発表情報;　2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27a-BQ-8著者;　草場修平，田中徹，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘，K. M. Yu，W. Walukiewicz知的財産権の出願等（著作権は除く）半導体装置及びその製造方法;　2007年09月発表情報;　特願2007-256110著者;　田中徹，小川博司，西尾光弘，齊藤勝彦半導体の製造方法;　2006年08月発表情報;　特願2006-222455著者;　田中徹，小川博司，西尾光弘，齋藤勝彦招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）Terahertz Spintronic Emitters: the Properties and Optimizations;　2019年10月発表情報;　The 5th International Symposium on Microwave/Terahertz Science and Applications (MTSA2019), Busan, Korea, 29 September to 3 October, 2019.著者;　Masahiko Tani, Valynn Katrine Mag-usara, Miezel Talara, Chiyaka Tachioka, Garik Torosyan, Ren H Beigang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Jessica Pauline Afalla, Takashi Furuya, Mary Clare Esca Po, Hideaki Kitahara, Makoto Nakajima, Dmitry Bulgarevich, Makoto WatanabeMicrostructural and Optical Properties of Nanograined Si Processed by High-Pressure Torsion;　2018年08月発表情報;　The 5th International Conference on Nanomechanics and Nanocomposites (ICNN5)著者;　Yoshifumi Ikoma, Bumsoo Chon, Terumasa Yamasaki, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Martha R. McCartney, David J. Smith, Zenji HoritaHeteroepitaxial growth of ZnTe layers by MOVPE (Invited Talk);　2012年12月発表情報;　The Collaborative Conference on Crystal Growth 2012, A23, December 12, 2012, 14:00-14:25, Doubletree by Hilton Orlando at SeaWorld, Orlando, FL, USA.著者;　Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro NishioLow-temperature Epitaxial Growth of GaInN Films (invited);　2012年08月発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 3A-OS01-08.著者;　Q. Guo, T. Nakao, M. Arita, K. Saito, T. Tanaka, M. NishioZnTeO系高不整合材料の作製と中間バンド太陽電池への応用;　2012年05月発表情報;　第９回次世代の太陽光発電システムシンポジウム, 平成24年5月31日-6月1日, 京都.著者;　田中徹，長尾康弘，宮原雅宜，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘STRUCTURAL PROPERTIES OF MAGNETITE FILMS GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION (Invited Talk);　2011年07月発表情報;　The Nineteenth Annual International Conference on COMPOSITES/NANO ENGINEERING, July 24-30, 2011, Session 2d OXIDE 1, Invited Talk, July 25, Shanghai, China.著者;　Q. Guo, K. Nakamura, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Y. Ikoma, J. Ding, and D. Zhang電子図書館佐賀大学総合情報基盤センターCopyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.